我國集成電路產(chǎn)業(yè)亟待解決的七大問題
來源：宏偉發(fā)電機租憑 發(fā)布日期：2018-11-28 瀏覽：次
在過去的60年里，人類微制造的領(lǐng)域已經(jīng)從計算機管縮減到7納米器件，已經(jīng)縮小了一萬億。半導(dǎo)體芯片前端微加工設(shè)備的創(chuàng)新與進(jìn)步是實現(xiàn)萬億倍減量的關(guān)鍵。這是中微半導(dǎo)體董事長兼首席執(zhí)行官尹志耀在2018年中國半導(dǎo)體材料與元件創(chuàng)新與發(fā)展大會上的感想。隨著集成電路器件從“毫米級工藝”、“微米級工藝”向“納米級工藝”的升級，微加工的精度、均勻性、穩(wěn)定性和可靠性成為提高微器件生產(chǎn)成功率的關(guān)鍵。
半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要支持和幫助
在眾多的半導(dǎo)體制造設(shè)備中，有兩種設(shè)備起著至關(guān)重要的作用。第一種是光刻，第二種是等離子體刻蝕。光刻機是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備。主要用于曝光涂有光致抗蝕劑的基材。光學(xué)透鏡和反射碗的制造要求非常嚴(yán)格。因此，光刻機的價格高于大型客機。在這方面，可以說ASML在荷蘭是占統(tǒng)治地位的家庭。等離子體刻蝕也是VLSI制造中的關(guān)鍵步驟。等離子體蝕刻機在待去除材料的表面上通過物理和化學(xué)反應(yīng)形成揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物，然后從反應(yīng)室中提取它們。蝕刻機必須蝕刻不同的材料和形狀，對不同的材料有不同的選擇性。有成千上萬種不同的蝕刻工藝。此外，在蝕刻工藝中，許多指標(biāo)，如蝕刻精度、均勻性、穩(wěn)定性、選擇比、產(chǎn)量和蝕刻成本都需要滿足條件，才能達(dá)到規(guī)定的生產(chǎn)效率。目前，世界上三大微加工技術(shù)和設(shè)備公司：應(yīng)用材料公司、林氏研究公司和東京電子公司都是基于蝕刻設(shè)備的。
中國有幾家公司正在開發(fā)等離子蝕刻機。其中，公司的進(jìn)步是亮點。目前，由單片機開發(fā)的電容式等離子刻蝕機和感應(yīng)式等離子刻蝕機在性能和成本效益方面均居世界前三位。尹志耀介紹說，在中國，中微半導(dǎo)體的高端設(shè)備產(chǎn)品已經(jīng)逐漸取代了國外設(shè)備，市場份額正在逐步提高。中微蝕刻機已進(jìn)入世界最先進(jìn)的7Nm生產(chǎn)線，并批準(zhǔn)了5nm器件的蝕刻應(yīng)用。介電蝕刻市場占有率為第三。VLSI研究公司發(fā)布了全球“客戶滿意度”半導(dǎo)體器件評級，中立公司排名第三，僅次于荷蘭ASML公司和一家外國公司。
從某種程度上講，這種適度的進(jìn)步顯示了我國裝備發(fā)展的步伐。然而，尹志耀強調(diào)，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)仍然需要支持和幫助。只有政府大力推進(jìn)，在低成本資金、R&D資金及相關(guān)政策的支持下，企業(yè)才能面對發(fā)展的主要矛盾，實現(xiàn)高速發(fā)展。尹志堯說。
多方面的不對稱競爭制約了產(chǎn)業(yè)
中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要矛盾是什么？尹志耀認(rèn)為，中國集成電路制造裝備行業(yè)最重要的發(fā)展矛盾是“不對稱競爭”。這種“不對稱競爭”反映在許多方面。首先，公司規(guī)模不對稱。尹志耀說，國內(nèi)設(shè)備制造商正在像蘑菇一樣成長。整個市場情況類似于春秋戰(zhàn)國時期。每個公司的規(guī)模是不平等的，甚至有10到30倍的巨大差異。二是市場份額不對稱。第三，國內(nèi)外市場不對稱。第四，訪問閾值是不對稱的。第五，人才資源不對稱。第六，研發(fā)經(jīng)費是不對稱的。尹志耀說，中國集成電路制造和設(shè)備公司的研發(fā)支出不到國外同類公司研發(fā)支出的10%甚至5%。而且這項技術(shù)落后了三代，如果我們不增加研發(fā)成本，追趕幾乎是不可能的。國際大公司通過比中國的小公司多花10到30倍的研發(fā)經(jīng)費來保持其競爭優(yōu)勢。R&D資金的嚴(yán)重短缺，使我國企業(yè)面臨著“神仙有”的挑戰(zhàn)。
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